ЖАРЫМ ӨТКӨРГҮЧТӨР: нускалардын айырмасы
м (1 версия) |
No edit summary |
||
| 1 сап: | 1 сап: | ||
<b type='title'>ЖАРЫМ ӨТКӨРГҮЧТӨР</b> – электр өткөрүүсү | <b type='title'>ЖАРЫМ ӨТКӨРГҮЧТӨР</b> – электр өткөрүүсү | ||
металлдыкынан (106–104 <i>Ом</i><sup>–1</sup><i>см</i><sup>–1</sup>) аз ж-а диэ­лектриктен (10<sup>–8 </sup>– 10<sup>–12</sup><i>Ом</i>-1<i>см</i><sup>–1</sup>) чоң болгон зат­тар. Металлдан айырмаланып, | металлдыкынан (106–104 <i>Ом</i><sup>–1</sup><i>см</i><sup>–1</sup>) аз ж-а диэ­лектриктен (10<sup>–8 </sup>– 10<sup>–12</sup><i>Ом</i>-1<i>см</i><sup>–1</sup>) чоң болгон зат­тар. Металлдан айырмаланып, температура көтө­рүлгөндө электр өткөргүчтүгү жогорулайт, тес­керисинче, төмөнкү температурада азаят. Электр өткөргүчтүгүнө температурадан башка жарык, электр талаасы, бөлүкчөлөрдүн агым ылдамдыгы ж. б. таасир этет. Жарым өткөргүчтөр кристалл, аморфтук ж-а суюк заттардан туруп, аларга Ge, Si ж. б. кирет. Элек­трондор ж-а көңдөйчөлөр заряд алып жүрүүчү болуп эсептелет. Идеалдуу кристаллда алар түгөйлөш жүрүп, концентрациясы бирдей болот. Ал эми реалдуу кристаллда электрондор м-н көң­дөйчөлөрдүн концентрациясынын тең салмактуулу­гу бузулушу мүмкүн, бул учурда өткөрүмдүүлүк алып жүргүчтүн бир гана тиби (электрон же көңдөйчө) м-н ишке ашырылат. Эгер кристал­лдын кандайдыр бир зонасы электронго толуп, ал эми экинчиси таптакыр бош ж-а чоң тоско­ол кеңдигине ээ болсо анда ал диэлектрик бо­лот. Температура <i>Т</i>=0 болгондо чала толгон зонала­ры жок ж-а тоскоол зонасы диэлектриктики­нен кууш кристаллдар жарым өткөргүчтөр деп аталат. Жарым өткөргүчтөр таза (элементардык) ж-а аралашмалуу болуп экиге бөлүнүшөт. Таза жарым өткөргүчтөрдү түзүүчү 12 эле­менттин ар бири монокристаллдарды түзүшөт. Алар Менделеевдин таблицасынын III тобунан Бор (<sub>5</sub>В); IV топтон: <sub>6</sub>С, <sub>14</sub>Si, <sub>32</sub>Ge, <sub>50</sub>Sn; V топтон <sub>15</sub>Р, <sub>32</sub>As, <sub>51</sub>Sb; VI топтон <sub>16</sub>S, <sub>34</sub>Se, <sub>53</sub>Tl; VII топ­тон <sub>53</sub>J. Аралашма жарым өткөргүчтөргө жогоруда каралган Жарым өткөргүчтөрдүн аралашмалары, алардын Жарым өткөргүчтөргө кир­беген элементтер м-н болгон аралашмалары, ошондой эле органикалык заттардын аралашмаларын да кам­тыган өтө көп түрлөрү кирет. Негизинен 2 тип­теги аралашма жарым өткөргүчтөр кездешет. Эгерде таза жарым өткөргүчтөргө валенттүүлүгү жогору болгон элементтер (до­норлор) кошулса, анда <i>n</i> тибиндеги жарым өткөргүчтөрдү ала­быз. Жарым өткөргүчтүү материалга (мисалы, крем­ний, германий монокристаллдары ж. б.) кошун­ду атомдордон бир аз кошуп, өткөрүмдүүлүктү жогорулатууга болот. Бул учурда көңдөйчөгө ка­раганда электрондору көп <i>n</i> тибиндеги же элек­тронго караганда көңдөйчөсү көп <i>р</i> тибиндеги жарым өткөргүчтөр пайда болот. Качан гана <i>n</i> ж-а <i>р</i> тибинде­ги материалдар биригип, <i>р–n</i> өткөөлү түзүлгөндө электр тосмосу пайда болуп, токту бир багытка жакшы, ал эми экинчи багытка начар өткө­рөт. Жарым өткөргүчтөр электр, радио, жарык ж-а жылуулук техникасында, автоматикада, прибор курууда ж. б. техникалык тармактарда кеңири колдонулат. | ||
өткөргүчтүгүнө | [[Категория:3-том, 215-326 бб]] | ||
талаасы, бөлүкчөлөрдүн агым ылдамдыгы ж. б. таасир этет. | |||
көңдөйчө) м-н ишке ашырылат. Эгер кристал­лдын кандайдыр бир зонасы электронго толуп, ал эми экинчиси таптакыр бош ж-а чоң тоско­ол кеңдигине ээ болсо анда ал диэлектрик бо­лот. | |||
<sub>15</sub>Р, <sub>32</sub>As, <sub>51</sub>Sb; VI топтон <sub>16</sub>S, <sub>34</sub>Se, <sub>53</sub>Tl; VII топ­тон <sub>53</sub>J. Аралашма | |||
07:50, 4 Июль (Теке) 2025 -га соңку нускасы
ЖАРЫМ ӨТКӨРГҮЧТӨР – электр өткөрүүсү металлдыкынан (106–104 Ом–1см–1) аз ж-а диэлектриктен (10–8 – 10–12Ом-1см–1) чоң болгон заттар. Металлдан айырмаланып, температура көтөрүлгөндө электр өткөргүчтүгү жогорулайт, тескерисинче, төмөнкү температурада азаят. Электр өткөргүчтүгүнө температурадан башка жарык, электр талаасы, бөлүкчөлөрдүн агым ылдамдыгы ж. б. таасир этет. Жарым өткөргүчтөр кристалл, аморфтук ж-а суюк заттардан туруп, аларга Ge, Si ж. б. кирет. Электрондор ж-а көңдөйчөлөр заряд алып жүрүүчү болуп эсептелет. Идеалдуу кристаллда алар түгөйлөш жүрүп, концентрациясы бирдей болот. Ал эми реалдуу кристаллда электрондор м-н көңдөйчөлөрдүн концентрациясынын тең салмактуулугу бузулушу мүмкүн, бул учурда өткөрүмдүүлүк алып жүргүчтүн бир гана тиби (электрон же көңдөйчө) м-н ишке ашырылат. Эгер кристаллдын кандайдыр бир зонасы электронго толуп, ал эми экинчиси таптакыр бош ж-а чоң тоскоол кеңдигине ээ болсо анда ал диэлектрик болот. Температура Т=0 болгондо чала толгон зоналары жок ж-а тоскоол зонасы диэлектриктикинен кууш кристаллдар жарым өткөргүчтөр деп аталат. Жарым өткөргүчтөр таза (элементардык) ж-а аралашмалуу болуп экиге бөлүнүшөт. Таза жарым өткөргүчтөрдү түзүүчү 12 элементтин ар бири монокристаллдарды түзүшөт. Алар Менделеевдин таблицасынын III тобунан Бор (5В); IV топтон: 6С, 14Si, 32Ge, 50Sn; V топтон 15Р, 32As, 51Sb; VI топтон 16S, 34Se, 53Tl; VII топтон 53J. Аралашма жарым өткөргүчтөргө жогоруда каралган Жарым өткөргүчтөрдүн аралашмалары, алардын Жарым өткөргүчтөргө кирбеген элементтер м-н болгон аралашмалары, ошондой эле органикалык заттардын аралашмаларын да камтыган өтө көп түрлөрү кирет. Негизинен 2 типтеги аралашма жарым өткөргүчтөр кездешет. Эгерде таза жарым өткөргүчтөргө валенттүүлүгү жогору болгон элементтер (донорлор) кошулса, анда n тибиндеги жарым өткөргүчтөрдү алабыз. Жарым өткөргүчтүү материалга (мисалы, кремний, германий монокристаллдары ж. б.) кошунду атомдордон бир аз кошуп, өткөрүмдүүлүктү жогорулатууга болот. Бул учурда көңдөйчөгө караганда электрондору көп n тибиндеги же электронго караганда көңдөйчөсү көп р тибиндеги жарым өткөргүчтөр пайда болот. Качан гана n ж-а р тибиндеги материалдар биригип, р–n өткөөлү түзүлгөндө электр тосмосу пайда болуп, токту бир багытка жакшы, ал эми экинчи багытка начар өткөрөт. Жарым өткөргүчтөр электр, радио, жарык ж-а жылуулук техникасында, автоматикада, прибор курууда ж. б. техникалык тармактарда кеңири колдонулат.